・【中央大学】中央大学理工学部の竹内健教授がカーボンナノチューブを使った半導体メモリ「NRAM」の高速、低電力、高信頼な基本動作を実証 中央大学理工学部竹内健教授のグループは米Nantero社と共同で、カーボンナノチューブを用いた半導体メモリ（NRAM）に最適な書き込み方法を提案。140ナノメートルサイズの単体の素子の測定を行い、高速、低電力、大容量、高信頼な基本動作を実証した。本研究成果は、2014年6月9日から12日（米国ハワイ時間）まで米国・ハワイで開催される「VLSIテクノロジシンポジウム」で発表される。（論文名：23% Faster Program and 40% Energy Reduction of Carbon Nanotube Non-Volatile Memory with Over 1011 Endurance）
